英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹

据TrendForce报道，随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货逐步提升，其存储需求效应已从HBM延伸至NAND闪存领域。

市场数据显示，TLC NAND闪存现货价格自6月触及低位后持续反弹，本周报价较上周上涨4.97%，较三周前累计涨幅达11.6%。

尽管英伟达绝大部分TLC NAND供应通过长期协议锁定，但平台放量带来的实际需求仍对现货市场形成传导压力，推动价格连续上行。

此前，三星已与英伟达在通用DRAM、HBM及晶圆代工领域建立合作，现进一步将协作扩展至NAND闪存。据悉，三星已向英伟达大批量供应第9代V?NAND闪存，并积极推进第10代V?NAND量产，以满足英伟达CMX架构的相关存储需求。

与此同时，铠侠今年推出新款CM10系列PCIe 6.0 SSD，首次搭载第十代BiCS FLASH TLC闪存，专为CMX架构设计。

该产品顺序读取性能较前代提升约92%，随机读取性能提升约85%，并支持直接冷板液冷散热，在高性能计算场景下具备显著优势。

整体来看，英伟达AI平台对存储生态的拉动正从HBM向NAND纵深扩散，原厂供应格局与产品迭代节奏亦随之加速调整，NAND市场有望在AI算力扩张周期中持续受益。