SK海力士将重启大连二厂扩建工程：计划生产238层NAND闪存芯片

据TrendForce，随着全球NAND闪存市场需求回升，主要制造商在经历阶段性停滞后，正陆续恢复扩产步伐。

SK海力士宣布将投资约500亿美元，在韩国新建NAND闪存生产线，同时也在推进其中国工厂的建设进程。

在中国大连，SK海力士计划于2026年下半年正式重启二厂扩建工程，启动生产设备安装，并分阶段推进设施建设，预计持续至2027年上半年。

目前，其合作伙伴已开始将韩国闲置设备转运至大连，海外供应商也陆续收到设备交付的初步采购订单。

此前，受美国出口管制及NAND闪存市场长期低迷影响，SK海力士曾暂缓大连二厂的扩建。按照最新规划，该厂未来将主要生产238层NAND闪存，月产能目标为3万至5万片晶圆。

与此同时，大连一厂也将进行产线切换，通过替换老旧设备，转产192层NAND闪存产品。值得注意的是，尽管SK海力士在韩国本土亦有大手笔投资，但报告指出，大连二厂有望成为其扩产速度最快的NAND生产基地。

除NAND闪存外，SK海力士近期也在扩大在华DRAM产能，正稳步提升无锡工厂的生产规模，以应对多元化存储芯片需求。