科创板第二大 IPO：国产 DRAM 龙头长鑫科技 7 月 16 日新股申购，拟募资 295 亿元

7 月 9 日消息，今日一早，长鑫科技集团股份有限公司披露科创板上市招股意向书及《发行安排及初步询价公告》，正式启动科创板 IPO 发行程序。公告显示，公司新股网下申购日和网上申购日均定为 2026 年 7 月 16 日。

长鑫科技的证券代码及网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。本次拟初始公开发行**,** 万股，占发行后总股本的比例约为 10.00%（超额配售选择权行使前）。发行后总股本为 6,688,088.6077 万股（超额配售选择权行使前）。发行人授予联席保荐人（联席主承销商）中国国际金融股份有限公司不超过初始发行股份数量 15.00% 的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至 769,130.1608 万股，占发行后总股本的比例约为 11.33%。联席保荐人（联席主承销商）为中国国际金融股份有限公司和中信建投证券股份有限公司，联席主承销商还包括国泰海通证券股份有限公司、国元证券股份有限公司、华泰联合证券有限责任公司和招商证券股份有限公司。

本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售与网上向持有上海市场非限售 A 股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行。初始战略配售数量为 334,404.4304 万股，占拟发行数量的 50.00%；网下初始发行数量为 267,523.5804 万股；网上初始发行数量为 66,880.8500 万股。初步询价日为 2026 年 7 月 13 日，发行公告将于 7 月 15 日刊登，网上申购时间为 7 月 16 日 9:30 至 11:30 及 13:00 至 15:00，网下缴款及网上缴款截止日均为 7 月 20 日。

长鑫科技成立于 2016 年 6 月 13 日，总部位于安徽省合肥市。该公司是国内规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用 IDM（垂直整合制造）业务模式。公司在合肥、北京两地共拥有三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。

根据 Omdia 的数据，按产能、出货量和销售额统计，长鑫已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。按 2025 年第四季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 7.67%，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

按照 Counterpoint Research 数据，长鑫科技在今年第一季度的 DRAM 市场营收份额已经达到 8% 左右（去年同期为 3%），另一家长江存储的 NAND 市场份额已经达到 13% 左右（去年同期 8%）。

财务数据方面，2023 年度、2024 年度及 2025 年度，公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-167.52 亿元、-78.70 亿元及 53.16 亿元。2026 年 1 至 3 月，公司实现营业收入 508.00 亿元，同比增长 719.13%，归属于母公司所有者的净利润 247.62 亿元，同比扭亏为盈。基于目前经营状况和市场环境，公司预计 2026 年 1 至 6 月营业收入为 1100 亿元至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；归属于母公司所有者的净利润为 500 亿元至 570 亿元。

本次发行募集资金扣除发行费用后的净额计划投入三个项目：75.00 亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，130.00 亿元用于 DRAM 存储器技术升级项目，90.00 亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，合计 295.00 亿元。

这一募资规模使长鑫科技成为科创板历史上仅次于中芯国际的第二大 IPO。中国证监会已于 2026 年 6 月 12 日同意长鑫科技首次公开发行**并在科创板上市的注册申请。