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三星电子开发新型封装技术:内存堆叠技术可翻1.5倍

导语
三星电子研发突破性HBM封装技术,内存堆叠层数提升1.5倍,带宽增加15%-30%,赋能AI智能手机与平板。新技术或应用于Exynos 2800/2900后续版本,抢占高端AI市场先机。

据媒体报道,三星电子正在开发下一代HBM封装技术,为智能手机、平板电脑等移动设备赋予更强的AI能力。

这项名为“多层堆叠FOWLP”的新技术,结合了超高纵横比铜柱与扇出型晶圆级封装(FOWLP),并对现有的垂直铜柱堆叠(VCS)技术进行了优化。

该技术能在不增加空间的前提下容纳更多I/O端子,使带宽提升15%至30%,同时实现超过1.5倍的内存堆叠层数。

业内人士指出,移动HBM的技术优势,将成为决定未来高端AI智能手机市场份额及差异化成败的关键因素。

但也有专业人士认为,由于服务器、数据中心和AI加速器等领域对HBM的需求短期内仍将保持强劲,移动HBM的研发与量产进度可能会落后于既定路线图。

预计该技术最早有望在Exynos 2800或Exynos 2900移动处理器后续版本中亮相。

【来源:快科技】

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