曝三星、SK 海力士、美光 DDR6 内存研发正式启动，速度有望达 DDR5 两倍

5 月 5 日消息，据《The Elec》昨日（5 月 4 日）报道，三大内存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 内存的开发。这项新技术预计将进一步提升 DDR5 标准的性能，并在各个方面提供改进。

报道称，尽管 JEDEC 标准尚未最终确定，但这些内存制造商已经要求基板供应商准备设计，目标是准备测试样品，以便在 DDR6 接近大规模生产之前做好准备。

一位来自基板行业的人士表示：“内存公司和基板制造商通常在产品推出前两年以上进行联合开发。DDR6 的初步开发最近才刚刚开始。”

报道提到，DDR6 预计将比 DDR5 带来大幅速度提升。早前的 JEDEC 路线图信息显示，DDR6 速度最高可达 17.6 Gbps，大约是 DDR5 计划上限的两倍。商用 DDR6 内存目前预计将在 2028 年至 2029 年左右推出。

注意到，JEDEC 已在去年发布了 LPDDR6 标准，计划为 LPDDR6 提供位宽减半的 x6 子通道模式，允许在单一封装中集成更多内存裸片，LPDDR6 也有望实现 512GB 系统内存容量。