1.3、1.2nm两联发 台积电公布A13、A12工艺：2029年问世

继2025年公布A14工艺之后，台积电在今天的技术论坛上再次公布了未来的工艺路线图，分别是A13、A12，等效于之前说的1.3、1,2nm工艺。

如果按照以往的摩尔定律进化来看，A14工艺之后应该是A10，也就是直接进入1nm工艺，然而10nm之后芯片工艺开始逼近物理极限，所以各家的工艺进步没有那么大，命名也开始改用A+数字或者数字+A，其中的A代表就是埃米，台积电是A16、A14之类的，Intel则是18A、14A等。

这次的A13就是A14工艺的改进版，面积减少了6%，设计规则兼容A14，但通过协同优化实现了更高的性能及能效，量产时间2029年，比A14晚一年。

再往下就是A12工艺，也是A14的增强版，会用上SPR（Super Power Rail）超级电源轨技术，原理跟Intel在18A工艺上使用的背部供电PowerVia相似，但两家的技术实现不同。

A12预计也是在2029年投产。

台积电后续还会继续打磨2nm工艺，再推出一个N2U平台，速度提升3-4%，功耗降低8-10%，密度提升2-3%，预计2028年投产。

台积电没有提及A13及A12工艺具体的性能及功耗改善情况，估计这方面变化不会多大，而且SPR技术最早之前说是在2nm节点的N2上就首发，后面改成了A16工艺首发，但是现在又提到了A12上使用SRP，让人有些迷惑。

这里面的变动也可以看出工艺到5nm以下之后，每代提升都是极大的挑战，这些厂商一旦进度不如预期，就直接变成新一代工艺了，再这么下去A10之前还会有个A11工艺问世。