罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%

4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。

罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。

罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。