氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产

3 月 23 日消息，晶圆代工龙头台积电已宣布计划于 2027 年终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产，与此同时三星电子将其视为重要增长点。根据韩媒 THE ELEC 当地时间本月 19 日的报道，三星的 8 英寸 GaN 生产线即将就绪。

三星半导体最初在 2023 年表示其功率半导体晶圆厂将于 2025 年投产，不过实际进度要慢上一些。最新行业消息显示，三星的首条 8 英寸 GaN 生产线最快 2026Q2 投产，预计初期营收规模在 1000 亿韩元（注：现汇率约合 4.62 亿元人民币）以内。

报道指出，三星电子已建立除芯片设计外的 GaN 解决方案体系，可自产 GaN 外延晶圆。

除 GaN 外，三星电子还计划在年内投运碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆代工生产线。在 SiC 上三星拥有包括设计在内的全流程能力，可与 GaN 在不同耐压区间形成互补。