HBM4E 竞赛升级：SK 海力士被曝拟引入台积电 3nm 工艺反超三星，争夺 AI 内存性能主导权

3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。

业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。

相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 12nm 工艺；而三星电子的 HBM4 则采用了 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺的核心芯片及 4nm 的逻辑芯片。

尽管 SK 海力士是目前英伟达最大的 HBM4 供应商，但据称其在性能评估方面却收到了落后于三星的评价。如前文所述，三星在 HBM4 上应用了比 SK 海力士更先进的工艺，所以性能领先也在情理之中。

SK 海力士此番在 HBM4E 的逻辑芯片上引入 3nm 工艺，显然是意在扭转这一局面。如果说 HBM4 更侧重于通过成熟工艺保障稳定性，那么 HBM4E 则旨在实现性能领先，确立技术优势。

报道指出，随着可根据客户需求定制逻辑芯片的“定制化 HBM”市场从 HBM4E 开始逐渐扩大，各类晶圆代工工艺都有可能被采用。HBM4E 将应用于英伟达下一代 AI 芯片的顶级版本“Vera Rubin Ultra”。SK 海力士计划向英伟达等主要客户供应性能最高的产品。

一位半导体行业内部人士表示：“对于定制化 HBM4E，逻辑芯片是根据客户规格制造的，因此 3nm 和 12nm 等工艺都在考虑之中。但预计 3nm 工艺将是供应给市场的大部分 HBM4E 逻辑芯片的主要选择。”

与此同时，AMD 和谷歌也已宣布计划在各自的下一代 AI 芯片中采用 HBM4E，竞争日趋激烈。另一位业内人士指出：“三星通过在英伟达年度 GTC 2026 开发者大会上展示 HBM4E，表明了其抢占下一代市场的意图。SK 海力士似乎在谋划要在下一代 HBM 的性能上也占据主导地位。”