三星 HBM4E 首发亮相 GTC 2026，还有 LPDDR6 内存、PCIe 6.0 固态硬盘 PM1763 等产品

2026-03-17 08:01:11 神评论

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三星在GTC 2026首发HBM4E内存，带宽达4.0TB/s！还有LPDDR6、PCIe 6.0 SSD等AI解决方案，助力NVIDIA平台性能飞跃。

3 月 17 日消息，三星电子在今日举行的 NVIDIA GTC 2026 大会上，全面展示了其在 AI 计算领域的技术布局。

作为全球唯一一家能够提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的完整 AI 解决方案的半导体厂商，三星此次展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。

在个人设备领域，三星展示了针对本地 AI 工作负载优化的内存解决方案，包括为 NVIDIA DGX Spark 配备的三星 PM9E3 和 PM9E1 NAND 产品。

三星还展出了面向高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备的 LPDDR5X 和 LPDDR6 DRAM 解决方案。其中，LPDDR5X 每引脚速度最高可达 25 Gbps，同时功耗降低 15%。在此基础上，LPDDR6 将带宽进一步提升至每引脚 30-35 Gbps，并引入自适应电压调节和动态刷新控制等高级电源管理功能，为下一代端侧 AI 工作负载提供性能支持。

本次展会的核心亮点是三星第六代 HBM4 内存。该产品现已进入量产阶段，专为 NVIDIA Vera Rubin 平台设计。据介绍，三星 HBM4 能够提供 11.7 Gbps 的稳定处理速度，超过业界标准的 8 Gbps，并可进一步提升至 13 Gbps。通过采用最先进的第六代 10nm 级 DRAM 工艺，三星实现了稳定的良率和领先的性能表现。

更值得关注的是，三星今日还首次展示了其下一代 HBM4E 内存。该产品每引脚传输速度可达 16 Gbps，带宽高达 4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代 HBM 能够实现 16 层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低 20% 以上热阻。

三星还在展台上特设了“NVIDIA 画廊”，集中展示双方深度合作的成果，陈列着为英伟达 AI 产品量身打造的一系列前沿技术产品，包括 HBM4、SOCAMM2 以及 PM1763 SSD。

三星 SOCAMM2 基于低功耗 DRAM 设计，是一款针对下一代 AI 基础设施优化的服务器内存模块，兼具高带宽和灵活的系统集成能力。三星已实现该产品的量产，成为业内首家达成这一里程碑的企业。

面向下一代 AI 存储解决方案的三星 PM1763 SSD 采用最新的 PCIe 6.0 接口，提供高速数据传输和大容量存储。该产品将在基于 NVIDIA SCADA 编程模型的服务器上进行现场演示。此外，作为 NVIDIA Vera Rubin 平台加速存储基础设施参考架构的一部分，三星 PM1753 SSD 也将展示其在推理工作负载中提升能效和系统性能的能力。