2nm工艺不再拉跨 三星打造全新HBM4E内存：友商还在用12nm

AI时代HBM内存崛起，也成为DDR内存缺货的元凶，皆因AI需求大，产能要求高。

此前SK海力士在HBM内存市场超越了三星，成为NVIDIA的AI GPU主力供应商，不过三星在HBM4内存上终于追回来，号称全球首发量产HBM4内存。

再往后，三星还计划进一步巩固自己的优势，在下一代的HBM4E内存上用上最先进的工艺，其中内存工艺升级到1c等级，基底（base die）芯片则一步到位升级到2nm工艺。

作为对比，三星当前的HBM4用的还是自家4nm工艺，SK海力士的HBM基底芯片甚至还在用台积电的12nm工艺打造，可以看出三星有多激进。

升级到2nm工艺后，HBM4E内存的发热、能效及芯片利用率等指标上预计会明显改善，进一步提高三星的领先优势。

HBM4E内存预计今年年中问世，定制版则会在下半年问世。

当然，SK海力士也不会落后太多，定制版的HBM4E内存也会计划升级到台积电的3nm工艺，具体表现可能比三星的2nm工艺还要好一点点。

对三星来说，随着Exynos 2600的量产，自家的2nm工艺总算摆脱了以往拉跨的形象，不仅能大规模量产，性能、能效等方面至少也是合格了，特斯拉已经开始追加订单了，产能预计翻倍还多，达到月产4万晶圆的水平。