天成半导体成功制备 14 英寸碳化硅 (SiC) 单晶材料

3 月 13 日消息，山西天成半导体材料有限公司成立于 2021 年 8 月，是一家专注于碳化硅 (SiC) 衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。其本月 11 日宣布成功制备出 14 英寸 SiC 单晶材料，有效厚度达 30mm。

了解到，14 英寸 SiC 单晶材料的主要应用场景为 SiC 部件，即以 SiC 及其复合材料为主要材料的设备零部件，面向刻蚀、外延、沉积等主要半导体制造环节工艺设备的需求。