缺陷率降低97%！三星计划大幅修改HBM4E设计

据媒体报道，三星计划在今年率先推出经过改进的供电传输架构，为年内实现HBM4E的量产做好准备。这一设计涉及对内部供电网络进行分割与重新分配，相当于一次结构性的全面改造。

供电传输正逐渐成为新一代HBM的性能瓶颈，构建一个高效且布局合理的供电网络，已成为HBM技术发展中的关键挑战。

根据三星相关资料，从HBM4升级至HBM4E后，供电凸点数量将从13682个增至14457个，这意味着需要在相同的空间内实现更密集、更精细的布线。

这一变化会导致电流密度和电阻上升，进而引发更明显的电压压降现象，即电压在传输过程中出现衰减。由此产生的热量会进一步推高电阻，加剧这一循环，最终可能导致性能下降甚至电路故障。

三星指出，目前的HBM设计存在结构上的短板，包括布线过于复杂以及电路布局高度集中。

为此，三星提出了供电网络分割方案，通过拆分供电模块、分层布局上层走线，构建更为直接高效的电路路径，尽可能减少从供电凸点到用电端之间不必要的迂回。

按照三星的说法，新设计使HBM4E的金属电路缺陷率较HBM4降低了97%，同时电压压降改善了41%，从而支持更高的运行速度，也提升了芯片整体的可靠性。