告别“火龙”称号:三星 Exynos 2600 芯片温控测试通关
告别火龙称号!三星Exynos 2600芯片温控测试通关,Galaxy S26/S26+运行《原神》等游戏最高仅39℃,2nm GAA工艺+FOWLP+HPB技术解决发热降频问题。
2 月 28 日消息,Youtube 频道 Vật Vờ Studio 最新一期视频中,主播 Long Ngong 极限测试了三星 Galaxy S26 和 Galaxy S26+ 手机的 Exynos 2600 芯片,发现三星已解决长期困扰用户的发热降频问题。
附上相关测试视频如下:
该主播为了验证 Exynos 2600 芯片的实际散热能力,在约 26℃ 的室温环境下,开启最高画质后,连续运行了《英雄联盟手游》、《原神》和《崩坏》三款主流高负载游戏。

测试数据显示,在运行《英雄联盟手游》时,Galaxy S26 基础版的平均温度仅为 32℃ 左右,表明该芯片在应对常规高画质游戏时游刃有余。
在更高负载的测试场景中,温控表现依然稳健。主播使用 Galaxy S26+ 运行《原神》超过 15 分钟后,机身正面最高温度约为 38℃,背面温度则稳定在 37℃ 至 37.5℃ 之间。


随后在运行《崩坏》时,尽管游戏帧率偶尔出现实质性下降,但机身正面最高温度仅达到 39℃,背面最高温度略超 38℃。
该主播指出三星 Galaxy S26/S26+ 上的出色温控表现,得益于三项关键技术的加持:
首先,Exynos 2600 首次采用了三星 2nm GAA(全环绕栅极)工艺,这种 3D 晶体管架构通过垂直堆叠的纳米片让栅极完全包围沟道,从而提升了静电控制能力和整体能效。
其次,该芯片应用了 FOWLP(扇出型晶圆级封装)技术,通过晶圆级方法取代传统基板,将输入 / 输出端子直接集成在硅晶圆上,打造出更薄、更高效的芯片形态。
最后,Exynos 2600 引入了创新的 HPB(热传导块)技术。该技术采用与应用处理器(AP)直接接触的铜基散热器,同时将 DRAM 移至侧面,从而将热阻改善了高达 30%。
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