消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成

2 月 24 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，三星电子的 1c nm 制程 DRAM 内存在高温环境热测试中的良率已达 80%，相较 2025Q4 的 60~70% 明显提升，显示该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大幅增强。

通常而言，80~90% 的良率是 DRAM 大规模量产的关键指标，三星电子的新一代工艺预计将在今年五月前后达到 90%。

与此同时，基于 1c nm DRAM 的 HBM4 AI 内存的良率也有所改善，从 2025Q4 的 50% 提升至接近 60%，这意味着三星电子能在有限的产能容量中产出更多 HBM，在高利润市场赢得更大营收规模。

与制程良率同步提升的是三星的 1c nm 产能，这部分的月度晶圆投片量在 2025 年末仅有 6 万片，而到 2026H2 将升至 20 万片。