群联 CEO 潘健成：DRAM 和 NAND 存储芯片短缺恐持续至 2030 年，低端消费市场首当其冲

2 月 18 日消息，群联电子（Phison）首席执行官潘健成（K.S. Pua）警告称，DRAM 内存和 NAND 闪存短缺问题的严重程度远超市场预期，且因结构性转变持续至 2030 年以后。

潘健成指出目前晶圆厂处于绝对的卖方市场地位，甚至提出了史无前例的付款条件：客户需预付未来 3 年的产能款项。行业内部估算显示，这一供应短缺局面将至少持续到 2030 年，甚至可能长达十年且看不到尽头。

潘健成预测，从 2025 年底到 2026 年，许多公司将因无法确保足够的内存供应，而被迫停产或退出产品线。

到 2026 年下半年，大量低利润品牌将倒闭离场，低端产品将从市场上彻底消失，从而形成市场真空，直到供应恢复后市场增长才会再次爆发。

潘健成特别提到，英伟达下一代 Vera Rubin AI 基础设施及其 ICMS 平台对存储规格要求极高，单这一产品线就可能吞噬超过 20% 的全球 NAND 产量。业界目前尚未完全将这种巨大的企业级需求计算在内，一旦需求爆发，将进一步挤压消费级市场的生存空间。

潘健成强调，由于 AI 对 DRAM 的巨大需求，许多消费细分市场将被破坏甚至彻底摧毁，行业正进入一个充满不确定性的深度调整期。