消息称三星、SK 海力士面临 HBM4 产能、良率问题,或促使英伟达放宽要求
三星、SK海力士HBM4产能良率遇挑战,英伟达或放宽性能要求。了解三大DRAM巨头竞争内幕及对AI芯片供应影响!
2 月 13 日消息,据韩媒 ZDNet 今天报道,全球三大 DRAM 厂商之间的“HBM4”竞争正日益激化,其中三星电子昨日率先量产 HBM4,抢在 SK 海力士和美光之前。

据业内消息,三星电子、SK 海力士计划本月向英伟达提供 HBM4“风险量产”,后者在上个月的财报电话会议中表示,公司是“业界唯一能同时稳定供应 HBM3E 和 HBM4 的企业”,并在去年 9 月开始建立 HBM4 的量产体系。
美光这边则是在前天的投资者会议上驳斥有关“被英伟达踢出 HBM4 供应链”传闻,并宣布已启动量产与出货,时间提前约一个季度。
据悉,目前三大巨头使用的“量产”表述实际上代表的是“风险量产”。指的是客户正式确认、下达采购订单(注:PO)之前,提前投入晶圆以缩短后续交付时间。HBM 芯片从核心 Die 到最终出货大约要 4 个月,如果等正式下单才开工会影响英伟达“Rubin”的上市节奏。

业内高层人士表示,英伟达官方将在今年一季度末结束质量测试,之后才会正式下单。因此目前三家的出货仍属于风险量产阶段。同时三星、SK 海力士的 HBM 出货量最快也要等到今年下半年才会扩大。
目前业内普遍认为,三星在英伟达 HBM4 质量测试方面比较顺利,旗下产品采用领先一代的 1c DRAM,并使用 4nm 制程工艺打造 Base Die。三星官方宣称其 HBM4 运行速度可达 11.7Gbps,相比业界标准 8Gbps 领先 46%,理论上最高能达到 13Gbps。
不过如果英伟达仍然坚持 11.7Gbps 的性能标准,则可能很难保证 HBM4 的供应量。
作为参考,三星 1c DRAM 目前的良率是 60%,如果考虑上后段制程,这个数字还会更低,并且目前的月产能只有 6-7 万片,难以满足英伟达需求。
SK 海力士这边虽然手握 60% 配额王牌,但初期产品可靠性测试被认为难以达到 11Gbps 水准,公司虽在持续改进,但难以保证完全成功。
因此业界预计英伟达很可能会采购 10.6Gbps 等次高规格产品,放宽良率要求,让三家厂商更容易量产,也能够让自身供给更稳定。
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