不止于HBM4 三星将研发2款全新HBM：2.8倍性能 功耗不变

AI发展对高性能存储芯片HBM的需求极高，引发本轮内存大涨价的核心原因就是HBM需求高涨导致三星等公司将产能转向HBM。

三星之前在HBM上被SK海力士、美光抢了先，但在HBM4时代他们追上来了，日前宣布正式量产，但他们不会止步于此，还在研发2款加强版HBM芯片，分别叫做cHBM及zHBM。

在日前的韩国SEMICON 2026会议上，三星设备解决方案（DS）部门总裁兼首席技术官Song Jae-hyuk发表了主题演讲，介绍了三星未来的HBM技术路线图。

他表示三星是唯一涵盖存储芯片、代工和封装的IDM集成制造商，该公司计划通过设计、工艺、内存和封装的集成解决方案实现技术领先。

三星正在开发的新一代HBM技术，其中cHBM是三星定制（custom）的HBM技术，将让Base Die基础核心负责一部分原来GPU要处理的工作，实现了2.8倍的性能，同时HBM功耗不变。

zHBM技术的细节没有公布太多，从Song Jae-hyuk的描述来看，应该是晶圆键合级别的HBM，有可能跟前几天Intel联合软银开发的ZAM内存技术方向类似。

从三星的表态来看，HBM发展到现在虽然性能已经很强，但是AI对算力的要求是无止境的，而且功耗问题不得不考虑了，cHBM及zHBM通过定制及更复杂的封装有望实现更高的性能，同时降低功耗。