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消息称英特尔“牵手”联发科,14A 工艺量产天玑芯片

导语
英特尔与联发科合作,14A工艺量产天玑芯片!背面供电技术提升性能,但自热效应挑战移动SoC能效。苹果或跟进,2028年采用英特尔EMIB封装。

2 月 10 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(2 月 9 日)发布博文,报道称英特尔代工业务成功争取重量级客户联发科(MediaTek),有望通过其最先进的 14A 工艺量产天玑(Dimensity)移动芯片。

消息源透露英特尔正积极拓展客户,此前消息称苹果公司已签署保密协议,评估英特尔的 18A-P 工艺,并可能在 2027 年或 2028 年将部分非 Pro 系列 iPhone 芯片或低端 M 系列芯片交由英特尔生产。

此外,广发证券(GF Securities)的分析也指出,苹果预计于 2028 年推出的定制 ASIC 芯片可能会采用英特尔的 EMIB 封装技术。

技术方面,该媒体称英特尔在落地方面存在挑战。援引博文介绍,英特尔在 18A 和 14A 节点上全面押注了“背面供电技术”(Backside Power Delivery, BSPD)。

这项技术通过芯片背面更粗的金属层供电,能有效降低电压压降、稳定频率并腾出正面布线空间,从而提升晶体管密度。然而,这种设计也带来了一个棘手的副作用,更严重的“自热效应”(Self-Heating Effect)。

对于散热空间极度受限的智能手机而言,“自热效应”可能是一个致命伤。相比于拥有主动散热系统的服务器或 PC 芯片,移动 SoC 对热功耗设计(TDP)极其敏感。如果英特尔无法通过创新手段有效缓解 14A 工艺的积热问题,联发科天玑芯片的能效表现将面临严峻挑战。

【来源:IT之家】

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