台积电：2nm是12年来首次升级晶体管架构 未来将探索2D、1D材料

台积电去年底悄然宣布2nm工艺已经如期量产，这代工艺将会是今年的重点，AMD的EPYC Venice处理器会首发。

接下来苹果iPhone 18的A20、高通的骁龙8E6 Pro、联发科的天玑9600等下代芯片也会是2nm工艺，为此台积电一年内就会把2nm产能从3.5万片晶圆/月提升到14万片晶圆/月，成为营收的主力来源之一。

2nm工艺在台积电的工艺研发史上也会是非常重要的一代，台积电日前在采访中提到这是公司历史上第二次采用全新的晶体管架构，升级到了GAA晶体管架构。

台积电上一次换晶体管架构还是2014年推出16nm工艺，当时首次从平面晶体管升级到了FinFET这种3D晶体管。

说到这里，难免要感慨一件事——十几年前Intel自信自己的工艺领先友商三年半，这话不是吹牛，他们在2011年就开始量产22nm 3D晶体管工艺，22年的IVB处理器上正式首发，彼时台积电、三星还在量产28nm工艺，技术差距比现在台积电对Intel的优势还要大。

如今时代变了，台积电在先进工艺上反而是最稳妥但最快速量产的，2nm工艺只上了GAA晶体管，接下来的1.6nm工艺A16则会再上背面供电技术，进一步提升密度和性能，尤其适合HPC高性能计算产品。

A16之后还有1.4nm级别的A14工艺，也会继续改进GAA及背面供电技术。

再往后就要到1nm节点了，目前还没有哪家厂商敢说搞定1nm及以下工艺的量产，还在研发阶段，晶体管结构可能会再次升级到CFET晶体管，进一步提高微缩水平。

同时半导体材料也会持续进化，台积电已经在探索2D材料甚至1D材料，有望进一步解决晶体管尺寸缩小的问题。

不过台积电这些技术还是在探索阶段，并没有进入真正的研发阶段，所以未来不确定性极强，现在猜测1nm及以下工艺量产时间及性能都太早了。