11 月 10 日消息，韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子已制定计划，力争明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”的开发工作。
据报道，3D Cube 是一种将多颗芯片垂直堆叠的先进封装技术。与传统的芯片水平排列结构相比，3D Cube 能够在相同面积内集成更多晶体管。三星电子此前已开发热压键合（TC Bonding）技术的 3D Cube-T，目前正在研发混合键合（注：Hybrid Bonding）的 3D Cube-H。
3D Cube-H 的主要应用方向是超高性能 AI 芯片。如果三星电子能够成功开发这项技术，其晶圆代工业务有望拿到大客户订单。
一位熟悉相关情况的业内人士表示：“三星电子此前一直在积极开发面向 3D 系统（逻辑）芯片的混合键合技术。公司计划在明年初完成首个设计套件，之后将开始与潜在客户进行评估。”
三星电子一直在开发端子间距（Pitch）约为 6 μm 的 3D Cube-H。作为对比，目前采用传统 TC 键合技术的芯片，其端子间距至少约为 25 μm，3D Cube-H 的间距要小得多。
另一位半导体行业人士表示：“采用混合键合技术能够大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗。在散热方面，该技术也比 TC 键合更具优势。”
【来源：IT之家】
