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10000mAh+2nm芯片!REDMI K100顶配版揭秘:续航性能大满贯

导语
REDMI K100顶配曝光:2nm骁龙8E6+10000mAh电池,100W快充、50W无线与旁路供电,185Hz全局高刷,游戏续航性能拉满,点击看详情!

据博主爆料,REDMI K100游戏旗舰正在推进中,新机不仅搭载高通2nm旗舰芯片骁龙8E6系列,还将配备10000mAh超大容量电池,支持100W有线快充和50W无线充电,并保留旁路供电功能。

其中骁龙8E6系列是高通新一代旗舰移动平台,采用2nm先进制程工艺,CPU升级为第三代自研Oryon架构,采用2颗最高主频5GHz的Prime核心和6颗最高主频4GHz的性能核心。

图形方面搭载新一代Adreno GPU,同时升级Hexagon NPU,对比上代,其CPU性能提升约10%,GPU性能提升约35%,NPU性能提升约14%;更高阶的Extreme版本,三项性能提升分别达到13%、44%和35%。

续航也是这款产品的一大看点,新机将采用10000mAh电池,支持100W有线快充和50W无线充电,同时加入旁路供电技术。

对于长时间玩游戏的用户来说,旁路供电可以让手机在接通电源时优先使用外部电力,减少电池反复充放电带来的发热和损耗,有利于维持长时间游戏时的性能稳定。

屏幕方面,REDMI K100游戏旗舰还有可能落地全局185Hz超高刷新率,与传统高刷屏主要在特定游戏中发挥作用不同,全局高刷意味着系统桌面、应用滑动以及游戏画面都有机会享受更高刷新率,进一步改善日常交互的流畅度。

综合来看,2nm旗舰芯片、10000mAh电池、50W无线充电以及185Hz全局高刷,如果这些配置能够同时落地,K100游戏旗舰将是REDMI最强悍的高端旗舰。

REDMI K100

【来源:快科技】

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