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华邦电子:14nm DRAM 内存将有 EUV 版本,有望 2030 年导入

导语
华邦电子14nm DRAM将导入EUV光刻,目标2030年量产!已与ASML合作培训,首台设备约2年交付,并砸713亿新台币建高雄新厂,AI数据中心影响如何?

11 月 9 日消息,据台媒《MoneyDJ 理财网》消息,利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示,计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术,若开发顺利预计 2030 年导入。

陈沛铭提到,该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作,目前正派遣员工赴 ASML 接受培训,为后续的工艺导入进行准备。ASML 向华邦承诺首台 EUV 光刻机交付时间约 2 年,后续设备则要等待 3.5 年。

华邦电子近期通过了总额 713.63 亿新台币(注:现汇率约合 143.94 亿元人民币)的高雄 Module B 新建预算。陈沛铭称这笔资金覆盖土建、机电和部分长交货周期设备,并非新晶圆厂全部投资。该厂具体建设方案将随时间推移逐步确定。

谈及外部政治环境变化对 AI 数据中心的冲击,陈沛铭认为 2027~2028 年建设受到的影响相对有限,但 2029 年时 CSP(云服务供应商)的资金情况将决定市场是否会进入下行调整周期。

参考

https://www.moneydj.com/KMDJ/news/newsviewer.aspx?a=24b8a1ff-b75b-4fe6-aeb2-bbc375757126

【来源:IT之家】

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