11 月 6 日消息，据路透社今日援引知情人士消息，中国最大的闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座工厂，预计将生产公司内最先进的 NAND 芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过 300 层。
知情人士称，长江存储计划将新工厂的国产设备采购比例设定为至少 60%，力争达到 70%。工厂预计将于明年动工，不过长江存储目前仅和供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单。对比之下，长江存储第三座工厂预计于今年晚些时候投产，中国供应商提供设备占采购总量约 50% 以上。
从原报道获悉，长江存储提升国产设备采购比例，有望让北方华创、中微半导体等厂商受益。新增国产设备预计将集中在芯片生产的常规工艺环节，包括晶圆清洗、抛光和刻蚀。中国企业目前已经为长江存储供应大部分清洗和抛光设备，并于制造先进 NAND 芯片所需的深层垂直结构设备领域取得进展。
【来源：IT之家】
