10 月 21 日消息，据路透社今日援引知情人士消息，三星电子、SK 海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的闪存芯片。
从原报道获悉，美国自 2022 年起限制部分芯片制造设备出口，因此这两家韩国半导体巨头，一直面临如何分配在华业务投资规模的棘手问题。
三星电子和 SK 海力士每年需要向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局还在去年表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这种监管限制削弱了他们的扩产能力，也导致部分市场份额让给长江存储。
三星电子对此回应称，公司正推进相关升级工作，并与美政府保持密切沟通。SK 海力士则表示，公司一直在和美国政府协商，计划在中国东北部的大连工厂安装设备。
知情人士表示，两家公司正努力在中国工厂生产 200 层以上的 NAND 闪存芯片。其中三星电子计划将西安工厂改造为生产 286 层 V9 NAND 闪存芯片，目标今年 12 月实现每月 5000 片晶圆产量，并在 2027 年 12 月将月产量提升至 4 万片。
另据三名知情人士透露，SK 海力士计划将大连工厂的 NAND 产线升级为 240 层以上产品，该工厂目前生产 192 层产品。
【来源：IT之家】
