10 月 21 日消息，市场调查机构集邦咨询（TrendForce）援引多方报道称，预估 2026 年第四季度 DRAM 合约价格环比上涨约 20%。从涨幅来看，相比较第二季度（约 80%）和第三季度（约 40%）呈现增速放缓情况，但 DRAM 市场整体依然处于价格高位，处于供应紧张、需求强劲的周期中。
援引博文介绍，推动价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的 KV 缓存需求，正在拉动服务器 DRAM 和企业级 SSD 的容量与带宽需求；同时，主要存储器厂商将产能优先投向 HBM 等高端产品，让传统 DRAM 供给更趋紧张。
不过，涨势放缓也有现实原因：前期价格基数已经较高，终端市场购买力有所减弱，而部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效，限制了价格进一步快速上涨。
在 HBM 方面，由于供应吃紧，英伟达据报正考虑将 Rubin Ultra 的 HBM 堆叠层数从 12 层降至 8 层。若其他条件不变，单颗 GPU 的 HBM 容量将减少约 33%，但同样的 DRAM 芯片供应理论上可支持多 50% 的 GPU 出货。不过，8 层 HBM 因基础裸片成本占比更高，2027 年每 Gb 成本预计反而比 12 层高出 10% 至 20%。
【来源：IT之家】
