消息称三星电子 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片良率已超九成

韩媒《朝鲜日报》当地时间今日表示，由三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片（Logic Die）良率已超过 90%。

三星电子在 HBM4 上采用了相对激进的工艺组合，即以 1cnm DRAM Die 搭配 4nm Logic Die，而台积电目前的提供高性能 HBM Logic Die 方案则基于 5nm 制程节点。

据称这笔来自兄弟部门的订单已占据三星晶圆代工 4nm 节点的约半数产能，而 4nm 的整体良率也突破了 80% 大关。

对于三星电子而言，在 HBM 内存对逻辑裸片工艺制程要求提升的背景下，存储器部门 HBM 业务的市占恢复也意味着晶圆代工部门能拿到更大规模的内部订单，有助于盈利状况好转。