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稳了!英伟达Vera Rubin采用12层HBM4:需求担忧缓解

导语
英伟达Vera Rubin确认采用12层HBM4,需求担忧缓解!SK海力士、三星加速16层技术,先进封装成关键瓶颈,AI内存市场格局生变,速来围观!

据报道,市场研究机构Counterpoint Research最新评估认为,英伟达Vera Rubin AI平台的大部分产品将采用12层HBM4,而非此前传闻的8层方案。这一判断修正了其8月报告中Rubin将采用8层HBM4变体的预测。

此前有行业传闻称英伟达要求内存供应商将HBM4堆叠层数从12层削减至8层,市场一度担忧HBM需求下滑会导致产能回流传统DRAM,进而压低内存价格。Counterpoint Research本次观点直接缓解了SK海力士与三星电子面临的需求担忧。

韩系双雄正同步推进16层HBM4技术。SK海力士在今年1月CES上首次展示16层48GB HBM4,容量较36GB的12层版本多出三分之一,并已在二季度开始向主要客户批量供应HBM4。

三星自2月起出货商用HBM4,12层产品最高提供36GB容量,其16层堆叠技术已具备量产条件,将视客户需求调整节奏。

需要指出的是,层数竞争之外,先进封装仍是关键制约。HBM必须通过先进封装与GPU集成,即便内存产量充足,封装产能仍可能限制AI加速器的整体供应。

与此同时,晶圆端的产能挤压同样不容忽视。高性能芯片消耗的晶圆产能可达传统DRAM的三倍以上,AI需求持续的情况下,消费端内存供应仍将偏紧。

【来源:快科技】

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