全球首次：杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

9 月 14 日消息，杭州镓仁半导体有限公司宣布，基于自主研发的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备，全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长。

据介绍，等径生长是晶体走向产业化的重要一步。只有形成直径恒定的等径段，晶锭才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底的成本就越低。

同时，12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可大幅降低下游的设备投资和产线切换成本，缩短研发周期。

注意到，今年 3 月，镓仁半导体实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长，相关成果通过国内外第三方机构权威认证。

官方表示，镓仁半导体自研的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备温控精度达 ±0.1 ℃，具备“设备 + 工艺包”一体化能力，实现了从 2 英寸到 12 英寸晶体的快速迭代。