小米 18 Fold 首发搭载,长鑫官宣 LPDDR6 率先实现旗舰手机端量产
长鑫存储宣布LPDDR6芯片量产,首发搭载小米18 Fold!带宽提升60%功耗降低20%,旗舰手机性能再升级,点击了解详情。
9 月 7 日消息,长鑫存储今日官宣,长鑫存储自主研发的 LPDDR6 芯片已实现量产商用,首发搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机,这是全球范围内 LPDDR6 产品首次在旗舰手机端落地商用。

从公告获悉,此次长鑫量产的 LPDDR6 单颗粒容量为 16Gb,封装芯片容量达 16GB,遵循 JEDEC LPDDR6 标准,采用 1295 Ball FBGA 全新封装。该芯片最高传输速率可达 12800Mbps,与速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 相比,带宽提升 60%。该产品的功耗相比上一代的 LPDDR5X 降低了 20%,能够有效延长移动设备的续航。
此次长鑫 LPDDR6 的研发及量产背后涉及多项创新:
在设计方面:采用双子通道架构,常规模式下配置 24bit 原生 I/O,其高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重(pre-emphasis)、信号均衡(DFE)参数,配合智能训练机制,充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。在能效管理方面,LPDDR6 采用了双轨 DVFS 的设计,该设计提供了硬件层面的电压分离能力。同时,LPDDR6 也引入动态效率模式,实现策略调度。这些功能支持 LPDDR6 在不同负载下始终保持最佳能效比,为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了灵活的内存支撑。在可靠性方面,LPDDR6 在原有 Link ECC、On Die ECC 基础上,新增每行激活计数(PRAC)防止行锤攻击,以及内建自测试(MBIST)等功能,以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。
工艺设计协同创新:通过工艺与设计的协同创新,针对 CMOS 区域的关键电路和设计规则 LDR 进行了超过 100 项深度优化和创新,成功制造出尺寸更小,性能更优的 CMOS 晶体管,支撑了产品性能高带宽低功耗的升级需求。
在封装方面:此次后道封装采用的是 1295 Ball 的 FBGA 封装,由于该封装的焊球面积相对 LPDDR5 的 496 Ball 大 50%,制造难度也同步提升。在塑封环节长鑫采用了高导热型 High K EMC(高导热环氧塑封料)对芯片整体进行包覆保护,可使颗粒热阻下降 40% 左右,大幅改善 LPDDR6 高负载运行时的热量导出效率,充分保障颗粒性能稳定发挥。


该公司称,当下,高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6 作为最新一代低功耗高速率产品,未来落地场景涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。
长鑫存储此次成功推出 LPDDR6,是公司在高端存储自主研发中的重要里程碑。该产品目前正加速商业化与规模化应用,公司将持续优化其性能表现、丰富产品线组合,携手产业链伙伴,共同推动 LPDDR6 内存技术在更广泛智能场景中落地。
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