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消息称铠侠-闪迪计划建设北上市第三晶圆厂,项目投资额超 1 万亿日元

导语
铠侠-闪迪计划在日本北上市建设第3座NAND闪存晶圆厂,项目总投资超1万亿日元(约422.88亿元),有望获政府补贴,存储芯片产能再升级。
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8 月 27 日消息,综合日经亚洲、彭博社当地时间今日报道,铠侠-闪迪联盟计划在日本岩手县北上市再建设一座晶圆厂,这将是北上基地的第 3 座 NAND 闪存芯片生产设施。

▲ 铠侠-闪迪北上生产基地

两家半导体企业的首席执行官预计将于今日访问位于东京千代田区永田町的日本首相官邸,届时可能正式宣布项目规划。

这一新建项目的总投资预计将超过 1 万亿日元(注:现汇率约合 422.88 亿元人民币),铠侠-闪迪将向日本经济产业省寻求补贴资助。

【来源:IT之家】

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