消息称三星电子、SK 海力士持续投资扩充在中 NAND 产能

8 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 在其当地时间 24 的报道中表示，该国两大半导体企业三星电子、SK 海力士正持续向中国 NAND 晶圆厂投资，以扩充闪存产能，缩小供需差距。

报道指出，三星电子自 2026H1 以来一直在推进西安 X2 晶圆厂的工艺升级，将既有老旧制程产线升级至最新的第 9 代 V NAND（286 层）。消息人士表示，三星电子计划为该工厂导入新的蚀刻工艺设备，相关采购订单预计在 2026 年内落地。

另一方面 SK 海力士的投资则围绕大连第二晶圆厂展开，计划新增每月 3 万片晶圆的产能，光刻机等关键制造设备预计将从 2026 年 10 月开始导入。