消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺，延续自研 4nm HBM4 路线

8 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，三星将重新规划一座正在建设中的生产线，用于制造 HBM（高带宽内存）的基础裸片（Base Die）。

据业内人士消息，三星的这条生产线将采用 2nm 尖端制程工艺，预计将在两年后投入使用，因此未来仍存在调整的可能性。

HBM 的基础裸片一直在不断升级，首次出现重大变化是在 HBM3 和 HBM3E 时代。随着数据传输速率相比前几代产品大幅提升，各大厂商开始使用晶圆代工厂的制程工艺制造基础裸片，采用 20nm 到 12nm 不等的逻辑制程。

而 HBM4 由于采用了性能更强的总线和更多硅通孔（注：TSV），基础裸片将进一步升级，台积电和三星晶圆代工等厂商开始承担 HBM 基础裸片的制造工作。

除了三星之外，SK 海力士也将与晶圆代工厂合作生产 HBM 芯片。该公司已经与台积电展开合作，后者可以提供成熟的 N12 工艺以及先进的 N5 工艺，用于制造 HBM 相关芯片。