英伟达加速推进下代芯片架构:直奔台积电升级版A16制程 制造压力陡增
英伟达加速推进下一代Feynman架构,直奔台积电A16制程,制造压力陡增。2028年量产,3D Chiplet与CPO技术革新,引领高性能计算新浪潮。
在Vera Rubin正式进入量产爬坡阶段之际,英伟达的下一代架构迭代已悄然提前启动。
据供应链消息,NVIDIA正迅速将研发与供应链资源向预计于2028年下半年问世的Feynman(费曼)架构倾斜,此举不仅牵动台积电先进制程与封装技术的升级节奏,也有望为全球设备与材料供应商带来新一轮订单高峰。
从技术路线来看,Rubin以多颗小芯片(Chiplet)整合与高带宽内存(HBM)为核心,而Feynman则将进一步迈向3D Chiplet、SoIC(系统整合芯片)以及共同封装光学(CPO)等前沿技术,架构复杂度与集成度均显著提升。
对于台积电而言,NVIDIA产品迭代周期的持续缩短,直接加剧了先进制程与先进封装产能的扩产压力。
供应链透露,台积电正加速推进嘉义AP7与南科AP8工厂的建设,并在SoIC、CoWoS-L及下一代CoPoS等封装技术上进行超前布局,厂务、无尘室及设备进机作业均处于“抢进度”状态。
业界分析指出,Feynman平台预计将直接采用台积电2纳米升级版A16制程,同时大幅提升SoIC 3D堆叠技术的导入比例,并搭配定制化HBM及CPO方案。
作为台积电先进制程与封装的最大客户,NVIDIA的产品演进节奏已成为台积电技术路线和产能扩张的重要风向标。
在具体产能规划上,台积电SoIC月产能自2023年以来持续增长。原计划到2026年建立约1万至1.5万片月产能,并于2026年底达到2万片。
但在NVIDIA、AMD等客户需求驱动,以及Feynman量产时程提前等因素推动下,最新规划已大幅上修,预计2027年底月产能将达5万片,全面备战下一代高性能计算浪潮。

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