大幅提升存储密度！三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片

据媒体报道，三星电子在加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球闪存峰会（FMS 2026）上，正式发布新一代人工智能存储技术。

三星此次展出了采用全新晶圆键合架构的V10 Bonding V-NAND（简称BV-NAND）原型芯片。

该芯片堆叠层数超过400层，凭借创新的结构设计，存储密度较前代V9 NAND提升约58%，同时在读取、写入及输入/输出性能上均有显著增强，能够更好地满足AI系统对高容量、高能效存储的迫切需求。

随着AI工作负载从大规模模型训练扩展至实时推理与用户查询响应，高容量NAND闪存的需求持续攀升。

三星表示，BV-NAND技术不仅在密度上实现飞跃，也为数据中心和边缘计算场景提供了更具竞争力的能效方案。

在本次大会上，三星还展示了业界首款zHBM和zNAND-O概念模型。与传统HBM内存平置于AI芯片旁不同，zHBM采用垂直堆叠方式，直接将存储单元置于AI加速器上方，大幅缩短数据传输路径，从而提升带宽并降低功耗。

三星称，其晶圆键合技术使zHBM的存储密度达到传统HBM5的10倍以上，能效提高3倍，热阻降低超过一半。

尽管部分投资者对中国市场智能手机需求疲软可能拖累内存长期前景表示担忧，但分析师普遍认为，AI相关需求依然异常强劲。三星近期披露，与客户签订的长期供应协议有望占到其内存销售额的60%–70%，充分反映出AI领域需求的持续性。