SK 海力士与闪迪将在 FMS 2026 发布 HBF 首个标准规范,展示面向 AI 的存储解决方案
SK海力士与闪迪联合发布HBF首个标准规范,定义8/16层NAND堆叠,最高512GB容量,带宽0.4-3.0TB/s,UCIe互联,OCP开放标准,加速AI存储落地。FMS 2026还将展示V10 375层4D NAND,性能功耗比提升2.5倍,引领AI基础设施革新。
8 月 4 日消息,SK 海力士宣布联合闪迪(Sandisk),将在美国加州举办的闪存峰会 2026(FMS 2026)期间共同发布下一代存储技术高带宽闪存(HBF,High Bandwidth Flash)的首个标准规范。
注:HBF 是介于 HBM 和固态硬盘之间的新型存储层级,不仅具备与 HBM 类似的高速数据传输能力,还可基于 NAND 闪存大幅提升容量。在 AI 推理普及、数据处理需求激增的背景下,其高带宽与可扩展容量特性优势受到业界关注。
此次发布的标准规范,是继 SK 海力士去年 8 月与闪迪启动 HBF 标准化合作,并于今年 2 月成立联盟后,历时约 6 个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置,分别采用 8 层和 16 层 NAND 芯片堆叠,最高支持 512GB 容量;并按三个等级(Grade 1~3)设定带宽标准,数据传输能力覆盖约 0.4TB/s 至 3.0TB/s。

值得关注的是,HBF 与处理器之间采用行业标准 UCIe 互联,为 HBF 与 GPU、CPU 等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。
该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织 OCP(Open Compute Project)正式发布,成为行业通用开放标准,而非企业私有标准。
SK 海力士表示,以此为契机,公司计划加快 HBF 在 AI 存储市场的规模化落地,并加速构建生态体系。目前,HBF 联盟已汇聚谷歌与 Tenstorrent。未来,公司将继续依托开放合作,不断扩大生态体系,同时提升技术成熟度与市场接受度。
与此同时,SK 海力士将在 FMS 2026 设立展台,首次公开目前开发进展顺利的第十代(V10)375 层 4D NAND 闪存晶圆和产品。较上一代,其性能功耗比提升 2.5 倍,特别适用于对性能与能效要求极高的 AI 基础设施环境(例如数据中心)。公司计划于明年初启动基于此 NAND 闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘(eSSD)量产。


