消息称长鑫 LPDDR6 接近研发验证尾声，有望今年下半年发布

8 月 1 日消息，据第一财经今日援引行业人士消息，长鑫存储的 LPDDR6 已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。

早在今年 3 月就有市场消息称，长鑫存储正在积极推进 LPDDR6 产品落地，并已向核心客户送样，有望 2026 年下半年发布并实现量产导入。

相关信息称，长鑫首款 LPDDR6 产品设计规格速率为 12800Mbps，与 SoC 协同的运行基础速率为 10667Mbps，颗粒容量 16Gb，采用 1295 Ball（焊球）的 POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能比 LPDDR5X 产品有明显优化提升。

注：LPDDR6 是 JEDEC 固态技术协会于 2025 年 7 月发布的第六代低功耗双倍数据速率内存标准，是面向移动端设备和 AI 应用的通用类内存规格。

LPDDR6 标准采用双子通道架构，每个子通道含 12 条数据信号线，支持 24 位宽通道设计，并引入动态效率模式、VDD2 双电源供电等能效优化技术，较前代在性能与功耗控制方面均有提升。