采用230层阵列！铠侠第九代BiCS闪存送样：接口速率达4.8Gb/s

铠侠官方今日宣布，已正式开始送样采用第九代BiCS FLASH技术的3D闪存芯片，首批型号为1Tb容量的TLC颗粒。

此次送样的BiCS9芯片主要针对中低容量存储市场，旨在提供更高性能与更优能效比的平衡方案，与此前行业追求极限堆叠层数不同，铠侠在此代产品上采取了稳健的策略，通过底层架构升级来提升性能表现。

技术细节方面，第九代BiCS FLASH采用了230层存储阵列，虽然这一堆叠层数在物理层面上与前代BiCS8系列相近，但其核心电路进行了大规模改进，不仅应用了与下一代BiCS10相同的CMOS制造技术，NAND接口速率也一举拉升至4.8 Gb/s。

这意味着，虽然层数未见爆发式增长，但在单位面积下的数据吞吐能力和响应延迟将有显著改善，这有助于厂商制造出功耗更低、读写响应更快的消费级固态硬盘，尤其是在接口带宽受限的移动计算平台中表现将更具优势。

铠侠同时明确了后续的技术路线图，第十代BiCS FLASH计划将阵列层数进一步提升至332层，专注于未来超大规模的数据中心以及高性能服务器场景，提供更大容量的单芯片解决方案。

目前该产品处于送样阶段，量产时间、价格与实际性能均未披露，采用该闪存的终端产品也尚未公布，其在大规模生产中的稳定性以及对不同主控芯片的兼容性表现，仍有待后续观察。