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三星电子:LTA 合同可轻松占据 DRAM / NAND 产出的 60~70%

导语
三星电子LTA合同锁定DRAM/NAND六成以上产能,ASP暴涨超60%!供需缺口扩大至2027年,第10代V-NAND 8月量产,服务器SSD占比飙升,存储芯片行情持续看涨——点击了解最新动态。

7 月 30 日消息,三星电子官方人士在今日的 2026Q2 财报电话会议上表示,一旦敲定当前待审合同,所有长期协议 (LTA) 将可轻松占据其 DRAM / NAND 产出容量的 60~70%。

越来越多的客户选择与三星电子签署 LTA,这家存储半导体巨头已与全球五大数据中心客户敲定协议,也正与另外五个主要客户洽谈。而三星电子的 5 年期 LTA 拥有每年可协商续期 1 年的条款,从而实际上形成滚动式合同结构。

三星电子 2026Q2 的 DRAM 容量产出环比增长十几个百分点,ASP(平均售价)环比上涨 40% 中段;NAND 产出增长个位数百分点,ASP 上涨超 60%。该企业预计 2026Q3 的 DRAM 与 NAND 容量产出将分别环比增长中个位数百分比和高个位数百分比。

存储芯片的新增供应量到 2028 年仍不会出现显著增长,同时 2026 年内未被满足的需求也将堆积到 2027 年,这使得三星电子认为明年的供需缺口会进一步扩大,带来更加严峻的供应限制。

此外,服务器固态硬盘今年将占据三星电子整体 NAND 销售组合的 60%,相较 2025 年提升超 20 个百分点。基于键合工艺和三堆栈结构的第 10 代 V-NAND 计划于 8 月量产。

【来源:IT之家】

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