进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

7 月 27 日消息，根据三星半导体官方今日发布的人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认，三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态。

구자흠提到，HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。该内存堆栈选择 2nm 作为基础裸片工艺旨在于性能和能效两方面实现重大改进。

三星电子的 HBM4 和 HBM4E 上均配备 4nm 基础裸片，但这两个版本的基础裸片有所区别。三星电子发挥了其 4nm 节点的灵活性优势，在 HBM4E 基础裸片上应用了高密度、超高性能器件，实现了 14+ Gbps 高速运行，而金属层的更有效排列则在降低功耗的同时优化散热路径。