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新成果!长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室

导语
长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室,聚焦碳化硅、IGBT等关键技术攻关,助力“双碳”目标与能源安全,推动半导体产业链自主可控。

据媒体报道,近日江苏省科技厅公布企业主导省重点实验室筹建名单。由长晶科技牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”成功入选。

实验室紧扣国家“双碳”目标、能源安全及集成电路全产业链自主可控的战略方向,聚焦江苏省“1650”现代化产业体系中新型功率半导体领域的共性技术瓶颈,围绕四大方向开展攻关:高性能SGT产品及封装研究、极致CSP器件特性研究、高功率密度IGBT产品研究,以及第二代1200V SiC MOSFET功率器件关键技术及产业化研究。

实验室将整合长晶科技IDM全产业链优势,融合南京邮电大学在功率器件、器件物理、集成技术与先进封测领域的学术积淀及人才团队。

从器件理论模型创新、新型功率器件开发、智能设计方法学构建到系统应用集成四大维度协同推进,打通基础研究、技术攻关到成果转化的完整链条,致力于打造高压高频功率半导体领域的原创技术策源地。

此次获批筹建省重点实验室,是长晶科技创新平台建设的重要里程碑。未来,长晶科技将严格对标省级重点实验室建设标准,扎实推进筹建工作,聚力攻坚功率半导体关键核心技术,加速科研成果转化落地,为功率半导体产业高质量发展提供有力支撑。

【来源:快科技】

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