砍掉DRAM缓存换上QLC闪存：三星990 Value SSD杀入入门级市场

三星正在为一款全新的M.2 NVMe Gen 4固态硬盘SSD 990做最后的准备。该产品定位入门级市场，与990 EVO Plus、990 PRO形成差异化布局。

SSD 990采用无独立DRAM缓存方案，依托主机内存缓冲技术提升性能。它搭载三星自研主控芯片，接口为PCIe Gen 4 x4。

与990 EVO Plus最大的区别在于闪存类型，990大概率使用QLC NAND，而EVO Plus采用TLC NAND。

写入寿命数据进一步佐证了QLC闪存的判断。1TB版本标称写入寿命为400 TBW，2TB版本为800 TBW。

作为对比，使用TLC闪存的990 EVO Plus在耐久性上更胜一筹。保修期也缩短至3年，低于高端型号的5年标准。

性能方面，2TB版本顺序读取速度最高达7250 MB/s，1TB版本最高7150 MB/s，两款顺序写入速度均为6450 MB/s。

这一速度已进入PCIe Gen 4时代的高端区间，对一款无缓存入门级产品而言表现相当亮眼。

EVO Plus提供Gen 4 x4或Gen 5 x2双接口支持，而SSD 990仅支持Gen 4 x4。两种容量版本已在部分渠道的等待清单中出现。

三星尚未公布售价与上市时间，但定位入门级的990有望以更具竞争力的价格切入市场。