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AI 芯片新创 Etched 完成流片:低电压提升实际算力表现,SRAM + HBM 缓存

导语
AI芯片新创Etched完成流片!低电压技术提升80%算力效率,SRAM+HBM缓存组合,获超10亿美元订单,2026年出货,推理加速器性能突破!

7 月 1 日消息,AI 芯片初创企业 Etched 当地时间昨日宣布其推理加速器芯片完成 A0 步进流片和首批机架构建。该企业获得超 10 亿美元订单和 8 亿美元 B 轮融资,首批机架产品预计 2026 年夏天出货。

Etched 表示,现有 AI 芯片在高负载下会产生大量废热,引发频率下降,最终导致实际的推理吞吐量仅有理论峰值的一半不到。

而 Etched 的台积电 N4P 制程工艺芯片采用了全新架构:得益于电路、封装、算法等多层次的整体优化设计,其数学模块电压比大多数竞品低 50% 以上,可以超 80% 的“算力效率”运行 1T 规模的稀疏 MoE 模型。

而在缓存侧,Etched 的芯片采用了片上 SRAM + 片外 HBM 的组合设计,结合高带宽互联技术,兼顾了两种方案的低延迟、大容量优势,实现了高吞吐量和交互性。

【来源:IT之家】

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