三星启动1.4nm工艺开发：29年量产 用上4亿美元的下代EUV光刻机

韩国日前宣布未来10年1000万亿韩元（约合4.4万亿人民币）的芯片投资计划，虽然主要是面向存储芯片，但先进工艺也一样会得到加速。

三星去年就量产了2nm工艺SF2，Galaxy S26系列手机的Exynos 2600首发，只不过实测结果显示还是没完全打赢台积电的3nm工艺芯片。

好消息是三星还会启动更强大的1.4nm工艺SF1.4研发，该工艺原本是在2027年量产，但三星之前调整了进度，2nm工艺会继续打磨两三年，1.4nm工艺就推迟到了2029年量产，跟台积电、Intel的1.4nm同级别工艺差不多时间。

三星日前已经向韩国国内及国外半导体设备供应商提出要求，希望他们提前研发针对1.4nm工艺的设备，未来会用于三星下一代半导体研发中心NRD-K。

1.4nm工艺具体的细节还不确定，但三星会在这一代工艺上正式引入High NA EUV光刻机，NA 0.55比当前的NA 0.33更高，所以光刻分辨率也更高，是2nm节点以下的关键设备。

这个新一代EUV光刻机的价格也会大涨，预计售价在4亿美元左右，而当前的EUV光刻机也就1.5-2亿美元，价格翻倍，工厂的生产成本自然也会大涨。

台积电也是因为High NA EUV光刻机成本太贵，未来几代工艺还不会用这种设备，该设备主要的客户是Intel，也是最早的客户，其次是SK海力士，三星算是第三家确定用的，明年的10台High NA EUV订单就靠他们三了。