消息称英特尔与联电或合作开发3nm项目

2024年初，英特尔宣布与联华电子（UMC）建立战略合作伙伴关系，双方将合作开发12nm工艺平台，以应对移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。该项目将在2026年会完成相关的工艺开发和验证工作，预计2027年投产。不过联华电子似乎不满足于此，去年传出其考虑扩大与英特尔之间的合作，可能选择在原有12nm工艺基础上增加6nm工艺。

据Wccftech报道，英特尔可能已经与联华电子展开新的合作，开发先进制造技术。不过这次传出的并非去年的6nm工艺，而是更为先进的3nm工艺。联华电子有意进入前沿半导体制造领域，预计相关生产工作将在英特尔位于美国亚利桑那州Octillo园区的晶圆厂进行，可利用现有设备降低前期投资并优化利用率，避免了投入大量资金购买新设备。

英特尔选择与联华电子合作，一方面是基于自身在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验，另一方面是看重对方在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验结合在一起，比如为客户提供工艺设计套件（PDK），以实现扩展的工艺组合。同时英特尔希望借助联华电子的帮助，提升竞争力，以便在全球代工市场中占据更大的份额，以加速追赶领头羊台积电（TSMC）。

根据2026年第一季度全球晶圆代工的统计数据，联华电子以3.9%的市场份额排在第四，仅次于中芯国际（SIMC）的5.1%。联华电子在2017年宣布退出10nm及以下先进制程节点的开发，仅停留在14nm制程节点。可是随着成熟制程节点的竞争加剧，加上人工智能时代对采用先进工艺的芯片需求增加，联华电子希望重新加入先进工艺的竞争。