年产 1533 亿 Gb DRAM 内存芯片，三星越南首座半导体测试工厂有望明年投产

5 月 27 日消息，路透社今天（5 月 27 日）披露一份项目文件，显示三星计划越南投资 39 万亿越南盾（注：现汇率约合 100.23 亿元人民币），建设其在越南首座芯片测试工厂。

该工厂选址位于河内以北约 60 公里的太原省（Thai Nguyen）工业园，落地后将成为三星在越南的首座芯片测试厂。

落地规划方面，消息称该工厂已动工建设，目标在 2027 年 11 月投产。路透社记者实地看到，现场已有大量施工车辆与工人作业。一名知情人士称，自至少 2026 年 4 月起，已有 200 多名三星工程师和员工在项目现场工作。

产能规划方面，消息称工厂将聚焦 DRAM（动态随机存取存储器）和 NAND（闪存）两类存储芯片测试。提案文件显示，工厂年产能可达 1533 亿 Gb DRAM 芯片，以及 2556 亿 Gb NAND 芯片。

虽然成熟芯片在 AI 供应链中的关键性低于高端 AI 芯片，但由于主要厂商把更多产能转向 AI 相关芯片，成熟存储芯片同样面临明显短缺。

当前强劲的存储需求已压缩智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的芯片供应空间。三星新增测试产能，虽属于后道环节，却仍能在芯片交付链条中补上关键一环，帮助提升成熟存储芯片的出货效率与供应稳定性。