台积电3nm核心学者达博辞去日本终身职位 率团队归国

曾深度参与台积电3nm量产产线研发的中国籍科学家达博，近日辞去日本国立材料研究所的永久研究职位，带领整建制科研团队全职回国，受聘于母校中国科学技术大学担任讲席教授。达博1986年出生于甘肃陇南，以高考状元考入中科大，本硕博连读，后赴日仅用一年便拿下该机构最年轻的永久职位。

达博是极少数深度参与国际半导体一线产业项目的中国籍学者，牵头美国泛林集团与NIMS的联合研发，聚焦台积电3nm产线的电子束设备、刻蚀设备关键材料与核心部件。他提出的“电子衍射光学”新方向，有望颠覆传统EUV光刻技术，未来性能或超越ASML的EUV光刻设备。

面对多家海外企业的优厚挽留，达博毅然选择回国，投身国产半导体装备关键核心技术的自主研发。此举正值全球半导体竞争从整机设计转向底层材料与部件的关键节点，他的回归将为国产芯片突破技术封锁注入强劲动力。