平面 NAND 闪存时代落幕：铠侠宣布将停产 2D NAND 产品

4 月 1 日消息，据 TechNews.tw 报道，铠侠已通知客户，计划停产旗下 2D NAND 闪存与第三代 BiCS 3D NAND 闪存产品。

停产老旧闪存品类并非新鲜事，但此次值得关注的是：铠侠将彻底终结平面 NAND 闪存的生命周期。该架构是 3D NAND 闪存的前代产品，自 20 世纪 80 年代起便已投入量产。

注意到，铠侠此次停产的老旧 NAND 产品覆盖面广泛：包含 32 纳米平面浮栅型 SLC NAND（2009 年量产）、24 纳米 MLC NAND（2010 年量产）、15 纳米 MLC 与 TLC NAND（2014 年量产）；同时还有 2017 年前后推出的初代 64 层堆叠 BiCS3 架构 3D NAND 闪存。

本次淘汰范围涵盖 SLC、MLC、TLC 全主流存储单元类型，也囊括裸晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、SD 卡等几乎全部封装供货形态。这意味着铠侠并非仅停产个别型号，而是全面退役整套老旧技术平台。

本次停产遵循行业标准的多年生命周期终止流程：客户最后下单截止日期为 2026 年 9 月 30 日，最终出货将持续至 2028 年 12 月 31 日。此后相关产品将全面停产下架，标志铠侠正式退出传统平面 NAND 与早期 BiCS 架构产品线，全面转向更先进的新一代 3D NAND 制程。

与此同时，铠侠关停 2D NAND 产能，也将宣告行业平面 NAND 闪存时代彻底落幕，这是存储行业的标志性事件：该闪存架构约 1987 年由东芝首次量产，时隔 41 年后，将由其继任企业铠侠在 2028 年正式停产退市。

目前，2D NAND 闪存主要应用于车载设备、消费电子、嵌入式设备、工业工控等老旧终端，以及部分长生命周期的特种存储设备。

传统老旧闪存通常会锁定定价，维持厂商与采购方的生产经济性；但当下 AI 行业需求暴涨，铠侠继续保留 2D NAND 产线已无实际意义。因此，随着与客户的长期供货合约陆续到期，铠侠正式宣布计划停止 2D NAND 闪存的生产与出货。