3 月 8 日消息，Wolfspeed 本周（3 月 5 日）推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），将高压电力电子系统设计赋予更大的架构自由度，为 AI 数据中心电网等场景提供关键支撑。
据介绍，这款产品可以在 20V 栅极偏置电压下达到 158000 年寿命，能够在使用体二极管（注：body-diode）的情况下保持可靠性能，对于中压 UPS 系统、风力发电和固态变压器等应用至关重要。
同时，这款产品的系统架构单元更少、结构简单，例如三电平逆变器被简化为两电平拓扑结构，可将成本降低 30%，开关频率从 600Hz 提升到 10000Hz，功率密度提升 300%，同时简化控制和栅极驱动电路并减小磁性单元体积，相比传统的 IGBT 硅基系统具备明显优势，转换效率达到 99%。
值得注意的是，这套方案的上升时间低于 10 纳秒，因此可以替代传统的电极式火花隙开关，能够避免温度电弧随时间退化的老问题。
此外，这套方案还能够提升脉冲功率传输的时间精度，可应用在地热发电、AI 数据中心电网、半导体等离子刻蚀以及可持续肥料生产等领域。
【来源：IT之家】
