我国计算材料物理领域奠基人王崇愚逝世 曾为“两弹一星”研制高导磁材料

今日，清华大学发布讣告，中国科学院院士、我国计算材料物理专家、清华大学物理系教授王崇愚，因病医治无效，于2026年3月3日13时31分逝世，享年93岁。

王崇愚是我国计算材料物理领域的奠基人与开拓者之一，他长期致力于材料缺陷电子理论的基础性研究，为我国材料科学发展作出了重大贡献。

王崇愚曾提出并发展多尺度跨层次序列算法及协同算法，建立了相应的理论研究框架以及缺陷能量学表述和处理模式。

通过多尺度理论与计算方法的创新，架起微观电子结构与宏观物性的桥梁，为高性能合金设计、材料缺陷调控等领域提供了关键理论支撑，为我国基础科学研究和人才培养做出了重大贡献。

据“中国科学家博物馆”公众号介绍，20世纪60年代，“两弹一星”工程处于全面展开阶段，王崇愚和他的研究团队接受了一项特殊的任务——为导弹控制系统研制高导磁材料。

在实验和分析的过程中，他们发现合金中微量的氧控制着材料的导磁特性，而之前氧元素一般被视为合金中的杂质。

为此，研究团队设计了独具特色的“充氧工艺”，采取控制合金中氧含量的工艺措施，在几类磁性合金中成功应用，使产品最大磁导率和恒磁导率都满足了军工需要。

后来，这一重大科技突破，被应用于国产“东风”系列导弹。